IJW120R100T1FKSA1

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Parte del produttore	IJW120R100T1FKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - jfet
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IJW120R100T1FKSA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	6.902
Prezzo unitario	$ 18.60000

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IJW120R100T1FKSA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Obsolete
tipo di piedi:	N-Channel
tensione - rottura (v(br)gss):	-
drain to source tensione (vdss):	1.2 V
corrente - drain (idss) @ vds (vgs=0):	1.5 µA @ 1.2 V
corrente assorbita (id) - max:	26 A
tensione - taglio (vgs off) @ id:	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1550pF @ 19.5V (VGS)
resistenza - rds(on):	100 mOhms
potenza - max:	190 W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto / custodia:	TO-247-3
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PG-TO247-3

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