NUS5530MNR2G

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Parte del produttore	NUS5530MNR2G
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - scopo speciale
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	NUS5530MNR2G PDF

Disponibilità

In magazzino	105.255
Prezzo unitario	$ 0.54000

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NUS5530MNR2G Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	NPN, P-Channel
applicazioni:	General Purpose
tensione - nominale:	35V PNP, 20V P-Channel
corrente nominale (ampere):	2A PNP, 3.9A P-Channel
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	8-VDFN Exposed Pad
pacchetto di dispositivi del fornitore:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

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