MT3S111(TE85L,F)

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Parte del produttore	MT3S111(TE85L,F)
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolare (bjt) - rf
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	MT3S111(TE85L,F) PDF

Disponibilità

In magazzino	6.922
Prezzo unitario	$ 0.62000

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MT3S111(TE85L,F) Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):	6V
frequenza - transizione:	11.5GHz
figura di rumore (db typ @ f):	1.2dB @ 1GHz
guadagno:	12dB
potenza - max:	700mW
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
corrente - collettore (ic) (max):	100mA
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pacchetto di dispositivi del fornitore:	S-Mini

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