MT3S111P(TE12L,F)

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Parte del produttore	MT3S111P(TE12L,F)
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolare (bjt) - rf
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	MT3S111P(TE12L,F) PDF

Disponibilità

In magazzino	7.857
Prezzo unitario	$ 0.89000

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MT3S111P(TE12L,F) Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):	6V
frequenza - transizione:	8GHz
figura di rumore (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
guadagno:	10.5dB
potenza - max:	1W
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
corrente - collettore (ic) (max):	100mA
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	TO-243AA
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PW-MINI

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