HN3C10FUTE85LF

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Parte del produttore	HN3C10FUTE85LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolare (bjt) - rf
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilità

In magazzino	111
Prezzo unitario	$ 0.54000

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HN3C10FUTE85LF Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	2 NPN (Dual)
tensione - guasto collettore emettitore (max):	12V
frequenza - transizione:	7GHz
figura di rumore (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
guadagno:	11.5dB
potenza - max:	200mW
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
corrente - collettore (ic) (max):	80mA
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto di dispositivi del fornitore:	US6

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