EFC6602R-TR

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Parte del produttore	EFC6602R-TR
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	EFC6602R-TR PDF

Disponibilità

In magazzino	130.439
Prezzo unitario	$ 0.23000

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EFC6602R-TR Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
caratteristica dei piedi:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
drain to source tensione (vdss):	12V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta)
rds su (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
potenza - max:	2W (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	6-XFBGA, WLCSP
pacchetto di dispositivi del fornitore:	6-WLCSP (1.81x2.7)

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