IRF8313PBF

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Parte del produttore	IRF8313PBF
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	HEXFET POWER MOSFET
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IRF8313PBF PDF

Disponibilità

In magazzino	1.471
Prezzo unitario	$ 0.24000

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IRF8313PBF Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Obsolete
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica dei piedi:	Standard
drain to source tensione (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9.7A (Ta)
rds su (max) @ id, vgs:	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	9nC @ 4.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	760pF @ 15V
potenza - max:	2W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto di dispositivi del fornitore:	8-SO

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