SSM6N35FE,LM

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Parte del produttore	SSM6N35FE,LM
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	SSM6N35FE,LM PDF

Disponibilità

In magazzino	1.609
Prezzo unitario	$ 0.41000

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SSM6N35FE,LM Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica dei piedi:	Logic Level Gate
drain to source tensione (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	180mA
rds su (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	9.5pF @ 3V
potenza - max:	150mW
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	SOT-563, SOT-666
pacchetto di dispositivi del fornitore:	ES6 (1.6x1.6)

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