IRF7101PBF

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Parte del produttore	IRF7101PBF
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	HEXFET POWER MOSFET
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IRF7101PBF PDF

Disponibilità

In magazzino	3.542
Prezzo unitario	$ 0.25000

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IRF7101PBF Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica dei piedi:	Logic Level Gate
drain to source tensione (vdss):	20V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.5A
rds su (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	320pF @ 15V
potenza - max:	2W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacchetto di dispositivi del fornitore:	8-SO

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