EPC2100ENGRT

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Parte del produttore	EPC2100ENGRT
Produttore	EPC
Descrizione	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	EPC2100ENGRT PDF

Disponibilità

In magazzino	78.312
Prezzo unitario	$ 5.18320

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EPC2100ENGRT Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	eGaN®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica dei piedi:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source tensione (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds su (max) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
potenza - max:	-
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	Die
pacchetto di dispositivi del fornitore:	Die

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