SIZ926DT-T1-GE3

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Parte del produttore	SIZ926DT-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	SIZ926DT-T1-GE3 PDF

Disponibilità

In magazzino	1.378
Prezzo unitario	$ 1.36000

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SIZ926DT-T1-GE3 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	TrenchFET® Gen IV
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica dei piedi:	Standard
drain to source tensione (vdss):	25V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	40A (Tc), 60A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	19nC @ 10V, 41nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
potenza - max:	20.2W, 40W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	8-PowerWDFN
pacchetto di dispositivi del fornitore:	8-PowerPair® (6x5)

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