EPC2107

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Parte del produttore	EPC2107
Produttore	EPC
Descrizione	GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	EPC2107 PDF

Disponibilità

In magazzino	1.407
Prezzo unitario	$ 2.01000

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EPC2107 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	eGaN®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
caratteristica dei piedi:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source tensione (vdss):	100V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.7A, 500mA
rds su (max) @ id, vgs:	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
potenza - max:	-
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	9-VFBGA
pacchetto di dispositivi del fornitore:	9-BGA (1.35x1.35)

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