EPC2110

EPC2110

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Parte del produttore EPC2110
Produttore EPC
Descrizione GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Categoria prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale: New from this manufacturer.
Consegna: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati EPC2110 PDF

Disponibilità

In magazzino 7.501
Prezzo unitario $ 2.37000

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EPC2110 Specifiche

Tipo Descrizione
serie:eGaN®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:2 N-Channel (Dual) Common Source
caratteristica dei piedi:GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source tensione (vdss):120V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.4A
rds su (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 700µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.8nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:80pF @ 60V
potenza - max:-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:-
pacchetto / custodia:Die
pacchetto di dispositivi del fornitore:Die

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Shipping Rate
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