TRS16N65FB,S1Q

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Parte del produttore	TRS16N65FB,S1Q
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	diodi - raddrizzatori - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilità

In magazzino	240
Prezzo unitario	$ 6.26000

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TRS16N65FB,S1Q Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
configurazione del diodo:	1 Pair Common Cathode
tipo di diodo:	Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):	650 V
corrente - media rettificata (io) (per diodo):	8A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ se:	1.6 V @ 8 A
velocità:	No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di recupero inverso (trr):	0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:	40 µA @ 650 V
temperatura di esercizio - giunzione:	175°C
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto / custodia:	TO-247-3
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-247

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