EPC2016C

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Parte del produttore	EPC2016C
Produttore	EPC
Descrizione	GANFET N-CH 100V 18A DIE
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	EPC2016C PDF

Disponibilità

In magazzino	134.646
Prezzo unitario	$ 2.45000

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EPC2016C Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	eGaN®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
drain to source tensione (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	5V
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 3mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vg (massimo):	+6V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 50 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	-
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:	Die
pacchetto / custodia:	Die

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