IPD60R600E6ATMA1

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Parte del produttore	IPD60R600E6ATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	8.488
Prezzo unitario	$ 0.52000

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IPD60R600E6ATMA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	CoolMOS™ E6
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	63W (Tc)
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-252
pacchetto / custodia:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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