IRF40H210

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Parte del produttore	IRF40H210
Produttore	Rochester Electronics
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IRF40H210 PDF

Disponibilità

In magazzino	7.883
Prezzo unitario	$ 0.56000

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IRF40H210 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 150µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	125W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:	8-PQFN (5x6)
pacchetto / custodia:	8-PowerVDFN

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