FCU850N80Z

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Parte del produttore	FCU850N80Z
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	FCU850N80Z PDF

Disponibilità

In magazzino	1.785
Prezzo unitario	$ 1.66000

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FCU850N80Z Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	SuperFET® II
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 600µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1315 pF @ 100 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	75W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	I-PAK
pacchetto / custodia:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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