SCT3080ALGC11

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Parte del produttore	SCT3080ALGC11
Produttore	ROHM Semiconductor
Descrizione	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	SCT3080ALGC11 PDF

Disponibilità

In magazzino	1.705
Prezzo unitario	$ 10.86000

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SCT3080ALGC11 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source tensione (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	30A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	18V
rds su (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vg (massimo):	+22V, -4V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	571 pF @ 500 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	134W (Tc)
temperatura di esercizio:	175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-247N
pacchetto / custodia:	TO-247-3

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