IPB100N12S305ATMA1

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Parte del produttore	IPB100N12S305ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IPB100N12S305ATMA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	373.082
Prezzo unitario	$ 4.13000

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IPB100N12S305ATMA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 240µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	185 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	11570 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	300W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PG-TO263-3
pacchetto / custodia:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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