TW070J120B,S1Q

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Parte del produttore	TW070J120B,S1Q
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilità

In magazzino	273
Prezzo unitario	$ 33.97000

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TW070J120B,S1Q Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	*
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source tensione (vdss):	1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	36A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	20V
rds su (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	5.8V @ 20mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vg (massimo):	±25V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 800 V
caratteristica dei piedi:	Standard
dissipazione di potenza (max):	272W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-3P(N)
pacchetto / custodia:	TO-3P-3, SC-65-3

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