FQI13N50CTU

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Parte del produttore	FQI13N50CTU
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	FQI13N50CTU PDF

Disponibilità

In magazzino	3.508.000
Prezzo unitario	$ 2.18000

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FQI13N50CTU Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	QFET®
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	13A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	480mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vg (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2055 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	195W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	I2PAK (TO-262)
pacchetto / custodia:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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