IMW120R030M1HXKSA1

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Parte del produttore	IMW120R030M1HXKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Descrizione	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IMW120R030M1HXKSA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	668
Prezzo unitario	$ 22.83000

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IMW120R030M1HXKSA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	CoolSiC™
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source tensione (vdss):	1.2 kV
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	56A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	15V, 18V
rds su (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vg (massimo):	+23V, -7V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2.12 nF @ 800 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	227W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PG-TO247-3-41
pacchetto / custodia:	TO-247-3

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