IMBG120R090M1HXTMA1

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Parte del produttore	IMBG120R090M1HXTMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Descrizione	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	466.828
Prezzo unitario	$ 14.47000

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IMBG120R090M1HXTMA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	CoolSiC™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
drain to source tensione (vdss):	1.2 kV
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	26A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	-
rds su (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 3.7mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vg (massimo):	+18V, -15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	763 pF @ 800 V
caratteristica dei piedi:	Standard
dissipazione di potenza (max):	136W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PG-TO263-7-12
pacchetto / custodia:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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