TPH3212PS

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Parte del produttore	TPH3212PS
Produttore	Transphorm
Descrizione	GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	TPH3212PS PDF

Disponibilità

In magazzino	559
Prezzo unitario	$ 14.65000

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TPH3212PS Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Last Time Buy
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
drain to source tensione (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	27A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 400uA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vg (massimo):	±18V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1130 pF @ 400 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	104W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-220AB
pacchetto / custodia:	TO-220-3

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