TP65H035WS

L'immagine è di riferimento, contattaci per ottenere l'immagine reale

Parte del produttore	TP65H035WS
Produttore	Transphorm
Descrizione	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	TP65H035WS PDF

Disponibilità

In magazzino	136
Prezzo unitario	$ 20.81000

TP65H035WS Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H035WS Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
drain to source tensione (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	46.5A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	12V
rds su (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 1mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 400 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	156W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-247-3
pacchetto / custodia:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.