IPP65R225C7XKSA1

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Parte del produttore	IPP65R225C7XKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	IPP65R225C7XKSA1 PDF

Disponibilità

In magazzino	208.186
Prezzo unitario	$ 2.78000

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IPP65R225C7XKSA1 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	CoolMOS™ C7
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	225mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 240µA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vg (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	996 pF @ 400 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	63W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	PG-TO220-3
pacchetto / custodia:	TO-220-3

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