HGTP5N120BND

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Parte del produttore	HGTP5N120BND
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - singolo
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	HGTP5N120BND PDF

Disponibilità

In magazzino	384.714
Prezzo unitario	$ 1.38624

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HGTP5N120BND Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Not For New Designs
tipo igbt:	NPT
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	21 A
corrente - collettore pulsato (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 5A
potenza - max:	167 W
energia di commutazione:	450µJ (on), 390µJ (off)
tipo di ingresso:	Standard
carica di cancello:	53 nC
td (acceso/spento) @ 25°c:	22ns/160ns
condizione di test:	960V, 5A, 25Ohm, 15V
tempo di recupero inverso (trr):	65 ns
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto / custodia:	TO-220-3
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-220-3

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