RN1911FETE85LF

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Parte del produttore	RN1911FETE85LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolare (bjt) - array, pre-polarizzati
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	RN1911FETE85LF PDF

Disponibilità

In magazzino	3.645
Prezzo unitario	$ 0.38000

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RN1911FETE85LF Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):	100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):	50V
resistenza - base (r1):	10kOhms
resistenza - base emettitore (r2):	-
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corrente - interruzione del collettore (max):	100nA (ICBO)
frequenza - transizione:	250MHz
potenza - max:	100mW
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	SOT-563, SOT-666
pacchetto di dispositivi del fornitore:	ES6

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