EMG8T2R

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Parte del produttore	EMG8T2R
Produttore	ROHM Semiconductor
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - bipolare (bjt) - array, pre-polarizzati
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	EMG8T2R PDF

Disponibilità

In magazzino	17.703
Prezzo unitario	$ 0.49000

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EMG8T2R Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:	Active
tipo a transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):	100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):	50V
resistenza - base (r1):	4.7kOhms
resistenza - base emettitore (r2):	47kOhms
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corrente - interruzione del collettore (max):	500nA
frequenza - transizione:	250MHz
potenza - max:	150mW
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
pacchetto di dispositivi del fornitore:	EMT5

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