W987D2HBJX7E

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Parte del produttore	W987D2HBJX7E
Produttore	Winbond Electronics Corporation
Descrizione	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Categoria	circuiti integrati
Famiglia	memoria
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	W987D2HBJX7E PDF

Disponibilità

In magazzino	604.996
Prezzo unitario	$ 2.44729

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W987D2HBJX7E Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tray
stato di parte:	Not For New Designs
tipo di memoria:	Volatile
formato di memoria:	DRAM
tecnologia:	SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria:	128Mb (4M x 32)
interfaccia di memoria:	Parallel
frequenza di clock:	133 MHz
scrivere tempo ciclo - parola, pagina:	15ns
tempo di accesso:	5.4 ns
tensione - alimentazione:	1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio:	-25°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	90-TFBGA
pacchetto di dispositivi del fornitore:	90-VFBGA (8x13)

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