GT10J312(Q)

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Parte del produttore	GT10J312(Q)
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - igbts - singolo
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	GT10J312(Q) PDF

Disponibilità

In magazzino	926.320
Prezzo unitario	$ 0.00000

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GT10J312(Q) Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Obsolete
tipo igbt:	-
tensione - guasto collettore emettitore (max):	600 V
corrente - collettore (ic) (max):	10 A
corrente - collettore pulsato (icm):	20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 10A
potenza - max:	60 W
energia di commutazione:	-
tipo di ingresso:	Standard
carica di cancello:	-
td (acceso/spento) @ 25°c:	400ns/400ns
condizione di test:	300V, 10A, 100Ohm, 15V
tempo di recupero inverso (trr):	200 ns
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto / custodia:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto di dispositivi del fornitore:	TO-220SM

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