A2T18S261W12NR3

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Parte del produttore	A2T18S261W12NR3
Produttore	NXP Semiconductors
Descrizione	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - rf
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	A2T18S261W12NR3 PDF

Disponibilità

In magazzino	1.083.672
Prezzo unitario	$ 0.00000

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A2T18S261W12NR3 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato di parte:	Obsolete
tipo a transistor:	LDMOS
frequenza:	1.805GHz ~ 1.88GHz
guadagno:	18.2dB
tensione - prova:	28 V
corrente nominale (ampere):	10µA
figura di rumore:	-
corrente - prova:	1.5 A
potenza - uscita:	280W
tensione - nominale:	65 V
pacchetto / custodia:	OM-880X-2L2L
pacchetto di dispositivi del fornitore:	OM-880X-2L2L

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