APTM10DHM09T3G

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Parte del produttore	APTM10DHM09T3G
Produttore	Microsemi
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - array
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilità

In magazzino	975.205
Prezzo unitario	$ 0.00000

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APTM10DHM09T3G Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	POWER MOS V®
pacchetto:	Bulk
stato di parte:	Obsolete
tipo di piedi:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
caratteristica dei piedi:	Standard
drain to source tensione (vdss):	100V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	139A
rds su (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 69.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	350nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	9875pF @ 25V
potenza - max:	390W
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto / custodia:	SP3
pacchetto di dispositivi del fornitore:	SP3

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