SCTWA50N120

L'immagine è di riferimento, contattaci per ottenere l'immagine reale

Parte del produttore	SCTWA50N120
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Categoria	prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia	transistor - fet, mosfet - singoli
Ciclo vitale:	New from this manufacturer.
Consegna:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Scheda dati	SCTWA50N120 PDF

Disponibilità

In magazzino	1.240
Prezzo unitario	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Specifiche

Tipo	Descrizione
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato di parte:	Active
tipo di piedi:	N-Channel
tecnologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
drain to source tensione (vdss):	1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	65A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):	20V
rds su (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vg (massimo):	+25V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
caratteristica dei piedi:	-
dissipazione di potenza (max):	318W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:	HiP247™
pacchetto / custodia:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.